prikaz prve stranice dokumenta Electron transport in ultra-thin strained InGaAs MOS devices
Rad nije dostupan
disertacija
Electron transport in ultra-thin strained InGaAs MOS devices

Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva
Zavod za elektroniku, mikroelektroniku, računalne i inteligentne sustave

Citirajte ovaj rad

Krivec, S. (2018). Electron transport in ultra-thin strained InGaAs MOS devices (Disertacija). Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva. Preuzeto s https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:651466

Krivec, Sabina. "Electron transport in ultra-thin strained InGaAs MOS devices." Disertacija, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2018. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:651466

Krivec, Sabina. "Electron transport in ultra-thin strained InGaAs MOS devices." Disertacija, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2018. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:651466

Krivec, S. (2018). 'Electron transport in ultra-thin strained InGaAs MOS devices', Disertacija, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, citirano: 25.03.2024., https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:651466

Krivec S. Electron transport in ultra-thin strained InGaAs MOS devices [Disertacija]. Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva; 2018 [pristupljeno 25.03.2024.] Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:651466

S. Krivec, "Electron transport in ultra-thin strained InGaAs MOS devices", Disertacija, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb, 2018. Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:651466

Prijavite se u repozitorij kako biste mogli spremiti objekt u svoju listu.