Sveučilište u Zagrebu Fakultet elektrotehnike i računarstva Zavod za elektroniku, mikroelektroniku, računalne i inteligentne sustave
Citirajte ovaj rad
Krivec, S. (2018). Electron transport in ultra-thin strained InGaAs MOS devices (Disertacija). Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva. Preuzeto s https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:651466
Krivec, Sabina. "Electron transport in ultra-thin strained InGaAs MOS devices." Disertacija, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2018. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:651466
Krivec, Sabina. "Electron transport in ultra-thin strained InGaAs MOS devices." Disertacija, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2018. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:651466
Krivec, S. (2018). 'Electron transport in ultra-thin strained InGaAs MOS devices', Disertacija, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, citirano: 20.10.2024., https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:651466
Krivec S. Electron transport in ultra-thin strained InGaAs MOS devices [Disertacija]. Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva; 2018 [pristupljeno 20.10.2024.] Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:651466
S. Krivec, "Electron transport in ultra-thin strained InGaAs MOS devices", Disertacija, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb, 2018. Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:651466