Balističke performanse FET-ova temeljenih na fosforenskim nanovrpcama

diplomski rad

• Naslov (engleski): Ballistic performance of FETs based on phosphorene nanoribbons
• Autor: Mislav Matić
• Mentor: Tomislav Suligoj (mentor)
• Član povjerenstva: Tomislav Suligoj (predsjednik povjerenstva)
• Član povjerenstva: Dubravko Babić (član povjerenstva)
• Član povjerenstva: Mirko Poljak (član povjerenstva)
• Ustanova koja je dodijelila akademski / stručni stupanj: Sveučilište u Zagrebu; Fakultet elektrotehnike i računarstva; Zagreb
• Datum i država obrane: 2020-07-10, Hrvatska
• Znanstveno / umjetničko područje, polje i grana: TEHNIČKE ZNANOSTI; Elektrotehnika

Sažetak

U ovom radu opisan je atomistički hamiltonijan i formalizam Greenovih funkcija izvan ekvilibrija za kvantno-transportne simulacije fosforenskih nanovrpci. Implementiran je simulator balističkih karakteristika PNR FET-ova prema modelu vrha barijere. Analizirane su strujno-naponske karakteristike PNR FET-ova u ovisnosti o širini PNR-a te objašnjene dobivene zakonitosti i efekti analizom strukture energijskih vrpci, gustoće stanja i transmisije u PNR-u. Dobiveni rezultati uspoređeni su s zahtjevima IRDS-a za "3 nm" tehnologiju.

Sažetak (engleski)

In this thesis the atomistic Hamiltonian and non-equilibrium Green's function are described for quantum transport simulation of phosphorene nanoribbons(PNR). Simulator of the PNR FET ballistic characteristics has been implemented using top-of-the-barrier (TOB) model. I-V characteristics were analysed in dependence od PNR width.The obtained laws and effects are described with analysis of PNR bandstructure, density of states and transmission. Results have been compared to the requirements of "3 nm" technology provided by IRDS.

• Ključne riječi: fosforenske nanovrpce; PNR FET; formalizam Greenovih funkcija izvan ekvilibrija; NEGF; model jake veze; model vrha barijere; Sancho-Rubio metoda
• Ključne riječi (engleski): phosphorene nanoribbons; PNR FET; non-equilibrium Green's function; NEGF; tight-binding model; top-of-the-barrier model; Sancho - Rubio method
• Jezik: hrvatski
• URN:NBN: urn:nbn:hr:168:847832
• Studijski program: Naziv: Elektrotehnika i informacijska tehnologija; Vrsta studija: sveučilišni; Stupanj studija: diplomski; Akademski / stručni naziv: magistar/magistra inženjer/inženjerka elektrotehnike i informacijske tehnologije (mag. ing. el. techn. inf.)
• Vrsta resursa: Tekst
• Način izrade datoteke: Izvorno digitalna
• Prava pristupa: Zatvoreni pristup
• Datum i vrijeme pohrane: 2023-01-13 10:23:36