Modeliranje i optimizacija vertikalnog potpuno osiromašenog MOSFET-a u tehnologiji silicija ni na čemu

disertacija

• Naslov (engleski): Modelling and optimization of the vertical fully-depleted silicon-on-nothing MOSFET
• Autor: Boris Sviličić
• Mentor: Petar Biljanović (mentor)
• Mentor: Slavko Amon (komentor); VIAF: 306151014
• Član povjerenstva: Tomislav Suligoj (član povjerenstva)
• Član povjerenstva: Petar Biljanović (član povjerenstva)
• Član povjerenstva: Slavko Amon (član povjerenstva); VIAF: 306151014
• Član povjerenstva: Mile Ivanda (član povjerenstva)
• Član povjerenstva: Julijana Divković-Pukšec (član povjerenstva)
• Ustanova koja je dodijelila akademski / stručni stupanj: Sveučilište u Zagrebu; Fakultet elektrotehnike i računarstva; (Zavod za elektroniku, mikroelektroniku, računalne i inteligentne sustave); Zagreb
• Datum i država obrane: 2008-05-14, Hrvatska
• Znanstveno / umjetničko područje, polje i grana: TEHNIČKE ZNANOSTI; Elektrotehnika; Elektronika
• Univerzalna decimalna klasifikacija (UDC): 621.3 - Elektrotehnika

Sažetak

Kapacitivno-naponske karakteristike VFD SONFET strukture modelirane su u svim područjima rada - akumulaciji, osiromašenju i inverziji. Kompaktni i 2D modeli kritičnih parametara VFD SONFET strukture u području ispod napona praga su razvijeni. Provjera ispravnosti analitičkih modela provedena je usporedbama s Medici simulacijama na velikom broju različitih tranzistorskih struktura. Optimizacija VFD SONFET strukture provedena je na temelju detaljne analize utjecaja tehnoloških parametara. Za strukture dugog i kratkog kanala uspoređeni su kompaktni modeli s 2D modelima, te su analizirana ograničena pojedinih modela. Kompaktni model lateralne SONFET strukture uspoređen je s modelom VFD SONFET strukture te su istaknute prednosti vertikalne strukture.

Sažetak (engleski)

The capacitance-voltage characteristics of the VFD SONFET are modeled in all operating conditions - accumulation, depletion and inversion. The VFD SONFET compact and 2D models for the critical subthreshold parameters are developed. The accuracy of the analytical models is verified by comparison to the numerical device simulator Medici, over a wide range of different device structures. Optimization of structure conducted on the basis of the detailed analysis of the technological parameters' influence. Compact and 2D models for the long channel and short channel structures are compared. The lateral SONFET compact model is compared to a VFD SONFET, and the advantages of vertical structures are pointed out.

• Ključne riječi: silicij ni na čemu; potpuno osiromašeni MOSFET; vertikalni SONFET; kompaktni model; 2D model; napon praga; nagib u području ispod napona praga; sniženje barijere izazvano odvodom
• Ključne riječi (engleski): Silicon-on-Nothing; fully-depleted MOSFET; vertical SONFET; compact model; 2D model; threshold voltage; subthreshold slope; DIBL
• Jezik: hrvatski
• URN:NBN: urn:nbn:hr:168:500449
• Studijski program: Naziv: Elektrotehnika; Vrsta studija: sveučilišni; Stupanj studija: poslijediplomski znanstveni (doktorski); Akademski / stručni naziv: doktor/doktorica znanosti, po-dručje tehničkih znanosti (dr. sc.)
• Vrsta resursa: Tekst
• Način izrade datoteke: Izvorno digitalna
• Prava pristupa: Zatvoreni pristup
• Datum i vrijeme pohrane: 2020-05-16 09:53:33