Analiza vertikalnog MOS tranzistora u tehnologiji silicij ni na čemu

magistarski rad

• Autor: Mario Perić
• Mentor: Petar Biljanović (mentor)
• Član povjerenstva: Julijana Divković-Pukšec (predsjednik povjerenstva)
• Član povjerenstva: Petar Biljanović (član povjerenstva)
• Član povjerenstva: Božidar Vojnović (član povjerenstva)
• Ustanova koja je dodijelila akademski / stručni stupanj: Sveučilište u Zagrebu; Fakultet elektrotehnike i računarstva; (Zavod za elektroniku, mikroelektroniku, računalne i inteligentne sustave); Zagreb
• Datum i država obrane: 2006, Hrvatska
• Znanstveno / umjetničko područje, polje i grana: TEHNIČKE ZNANOSTI; Elektrotehnika; Elektronika
• Univerzalna decimalna klasifikacija (UDC): 621.3 - Elektrotehnika

Sažetak

U radu je prikazan kratki opis tehnologije silicija na izolatoru, prednosti te strukture i problemi prilikom skaliranja. Ta struktura zajedno sa strukturom silicija ni na čemu poslužiti će nam u razumijevanju strukture vertikalnog MOS tranzistora u tehnologiji silicija ni na čemu. Prikazati ćemo različite tehnološke izvedbe te strukture, optimizirati geometrijske i topološke dimenzije. Pomoću dvodimenzionalnog 2D simulatora MEDICI izvršena analizu je i povezanost tehnološke parametre i karakteristike SONFET-a te modeliranje i ekstrakcija električkih parametara.

Sažetak (engleski)

Short overview of technology silicon on insulator and his advantages and problems with scaling is given. This transistor together with silicon on nothing MOS transistor will help as to understand vertical silicon on nothing MOS transistor. We will show different realization of vertical silicon on nothing transistors it will be optimize geometric and topologic dimension. With two-dimensional 2D electrical simulator MEDICI we will analyze and connect technologic parameter and characteristics of SONFET. It will be modeling SONFET and extraction of electrical parameters.

• Ključne riječi: silicij ni na čemu SON; silicij na izolatoru SOI; napon praga; ukopani oksidni sloj; kratki kanal; uski kanal; skaliranje
• Ključne riječi (engleski): silicon on nothing SON; silicon on insulator SOI; threshold voltage; buried oxide layer BOX; short channel; narrow channel; scaling
• Jezik: hrvatski
• URN:NBN: urn:nbn:hr:168:290007
• Studijski program: Naziv: Elektrotehnika; Vrsta studija: sveučilišni; Stupanj studija: poslijediplomski znanstveni (magistarski); Akademski / stručni naziv: Magistar znanosti elektrotehnike (mag. ing. el.)
• Vrsta resursa: Tekst
• Način izrade datoteke: Izvorno digitalna
• Prava pristupa: Zatvoreni pristup
• Datum i vrijeme pohrane: 2019-07-01 06:45:08