prikaz prve stranice dokumenta Analiza niskošumnog pojačala sa silicij-germanijskim bipolarnim tranzistorima
Rad nije dostupan
završni rad
Analiza niskošumnog pojačala sa silicij-germanijskim bipolarnim tranzistorima
2017. urn:nbn:hr:168:691684
Apro, Martin
Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva

Citirajte ovaj rad

Apro, M. (2017). Analiza niskošumnog pojačala sa silicij-germanijskim bipolarnim tranzistorima (Završni rad). Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva. Preuzeto s https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:691684

Apro, Martin. "Analiza niskošumnog pojačala sa silicij-germanijskim bipolarnim tranzistorima." Završni rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2017. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:691684

Apro, Martin. "Analiza niskošumnog pojačala sa silicij-germanijskim bipolarnim tranzistorima." Završni rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2017. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:691684

Apro, M. (2017). 'Analiza niskošumnog pojačala sa silicij-germanijskim bipolarnim tranzistorima', Završni rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, citirano: 18.04.2024., https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:691684

Apro M. Analiza niskošumnog pojačala sa silicij-germanijskim bipolarnim tranzistorima [Završni rad]. Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva; 2017 [pristupljeno 18.04.2024.] Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:691684

M. Apro, "Analiza niskošumnog pojačala sa silicij-germanijskim bipolarnim tranzistorima", Završni rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb, 2017. Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:691684

Za citiranje koristite ovu mrežnu adresu: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:691684
Prijavite se u repozitorij kako biste mogli spremiti objekt u svoju listu.
Podaci o radu
NaslovAnaliza niskošumnog pojačala sa silicij-germanijskim bipolarnim tranzistorima
Naslov (engleski)Analysis of Low-Noise Amplifier with Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistors
AutorMartin Apro
MentorTomislav Suligoj (mentor)
Član povjerenstvaTomislav Suligoj (predsjednik povjerenstva)
Član povjerenstvaJosip Žilak (član povjerenstva)
Član povjerenstvaŽeljko Osrečki (član povjerenstva)
Ustanova koja je dodijelila
akademski / stručni stupanj		Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva
Zagreb
Datum i država obrane2017-07-12, Hrvatska
Znanstveno / umjetničko
područje, polje i grana		TEHNIČKE ZNANOSTI
Elektrotehnika
Sažetak
Niskošumno pojačalo (LNA) je elektronički uređaj koji pojačava snagu veoma slabih signala uz minimalno dodavanje šuma. Neizostavna je komponenta bežične primopredajne tehnologije upravo iz tog razloga što su signali u bežičnoj komunikaciji slabi i podložni djelovanju šuma. Dizajniranje LNA je složeni postupak koji mora uzeti više čimbenika u obzir. Glavne karakteristike niskošumnog pojačala su: razina dodanog šuma, pojačanje, stabilnost i linearnost. Poboljšanje jedne od tih karakteristika ne znači nužno poboljšanje i ostalih, već je potrebno praviti kompromise da bi se postigao optimalan sklop za određenu primjenu. Najbitnija stvar kod dizajniranja LNA je izbor tehnologije tranzistora i oblika dizajna. U ovome završnom radu pokazan je i objašnjen postupak dizajniranja jednostupanjskog niskošumnog pojačala sa silicij-germanijskim bipolarnim tranzistorom u spoju zajedničkog emitera.
Sažetak (engleski)
A low noise amplifier (LNA) is an electronic device that amplifies the power of very weak signals with minimal noise addition. It is an indispensable component of wireless transceiver technology precisely because the signals in wireless communications are weak and susceptible to noise. LNA design is a complex process that needs to take multiple factors into account. The main characteristics of low-noise amplifiers are: noise figure, gain, stability and linearity. Improving one of these characteristics does not necessarily mean improvement in others which means compromises need to be made to achieve the optimum circuit for a particular application. The most important thing in designing LNA is the choice of transistor technology and the type of design. In this thesis, the method of designing a one-stage low-noise amplifier with a silicon-germanium bipolar transistor in a common emitter configuration is shown.
Ključne riječi
Ključne riječi (engleski)
Jezikhrvatski
URN:NBNurn:nbn:hr:168:691684
Studijski programNaziv: Elektrotehnika i informacijska tehnologija
Vrsta studija: sveučilišni
Stupanj studija: preddiplomski
Akademski / stručni naziv: sveučilišni/a prvostupnik/ prvostupnica (baccalaureus/baccalaurea) inženjer/inženjerka elektrotehnike i informacijske tehnologije (univ. bacc. ing. el. techn. inf.)
Vrsta resursaTekst
Način izrade datotekeIzvorno digitalna
Prava pristupaZatvoreni pristup
Uvjeti korištenjaIkona licence Zaštićeno autorskim pravom.
Javna napomena
Datum i vrijeme pohrane2019-03-13 18:39:22