Karakteristike FET-ova temeljenih na jednodimenzionalnim poluvodičima

diplomski rad

• Naslov (engleski): Characteristics of FETs based on one-dimensional semiconductors
• Autor: Tomo Vukadin
• Mentor: Mirko Poljak (mentor)
• Član povjerenstva: Mirko Poljak (predsjednik povjerenstva)
• Član povjerenstva: Marko Koričić (član povjerenstva)
• Član povjerenstva: Tomislav Marković (član povjerenstva)
• Ustanova koja je dodijelila akademski / stručni stupanj: Sveučilište u Zagrebu; Fakultet elektrotehnike i računarstva; Zagreb
• Datum i država obrane: 2024-07-12, Hrvatska

Sažetak

U ovom radu predstavljen je model 1D GAA FET-a temeljen na materijalu I4Si2 kao materijalu kanala korištenjem programa Quantum Espresso i programskog koda Wannier90 za dobivanje strukture energijskih vrpci te programskog koda napisanog u programu MATLAB za simulaciju ponašanja tranzistora. Implementiran je model vrha barijere i opisan balistički transport uz idealne kontakte. Prikazane su performanse nFET-a i pFET-a za 15 nm dugačak kanal uz utjecaj promjene debljine oksida na transportna svojstva.

Sažetak (engleski)

This thesis describes 1D GAA FET model constructed using 1D material I4Si2 as a channel material. By using program Quantum Espresso and open-source code extension Wannier90 band diagram and transport properties were extracted. By using programming code written in MATLAB, behavior of the device was simulated. Top-of-the-barrier model was implemented and ballistic transport with ideal contacts was described. Performances of nFET and pFET were shown for 15 nm channel length with shown impact of different oxide thickness on transport properties.

• Ključne riječi: GAA FET; nanožice; I4Si2; teorija gustoće funkcionala; kvantni transport; formalizam Greenovih funkcija izvan ekvilibrija; NEGF; model čvrste veze; model vrha barijere
• Ključne riječi (engleski): GAA FET; nanowires; I4Si2; density functional theory; quantum transport; non-equilibrium Green's function; NEGF; tight-binding; top-of-the-barrier model
• Jezik: hrvatski
• URN:NBN: urn:nbn:hr:168:432345
• Studijski program: Naziv: Elektrotehnika i informacijska tehnologija; Vrsta studija: sveučilišni; Stupanj studija: diplomski; Akademski / stručni naziv: magistar/magistra inženjer/inženjerka elektrotehnike i informacijske tehnologije (mag. ing. el. techn. inf.)
• Vrsta resursa: Tekst
• Način izrade datoteke: Izvorno digitalna
• Prava pristupa: Zatvoreni pristup
• Datum i vrijeme pohrane: 2024-10-12 22:28:50