prikaz prve stranice dokumenta Dizajn mikrovalnog pojačala u klasi AB korištenjem AlGaN tranzistora s efektom polja
Rad nije dostupan
diplomski rad
Dizajn mikrovalnog pojačala u klasi AB korištenjem AlGaN tranzistora s efektom polja

Golušin, Leonardo Max
Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva

Citirajte ovaj rad

Golušin, L. M. (2023). Dizajn mikrovalnog pojačala u klasi AB korištenjem AlGaN tranzistora s efektom polja (Diplomski rad). Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva. Preuzeto s https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:916360

Golušin, Leonardo Max. "Dizajn mikrovalnog pojačala u klasi AB korištenjem AlGaN tranzistora s efektom polja." Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2023. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:916360

Golušin, Leonardo Max. "Dizajn mikrovalnog pojačala u klasi AB korištenjem AlGaN tranzistora s efektom polja." Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2023. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:916360

Golušin, L. M. (2023). 'Dizajn mikrovalnog pojačala u klasi AB korištenjem AlGaN tranzistora s efektom polja', Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, citirano: 14.04.2024., https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:916360

Golušin LM. Dizajn mikrovalnog pojačala u klasi AB korištenjem AlGaN tranzistora s efektom polja [Diplomski rad]. Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva; 2023 [pristupljeno 14.04.2024.] Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:916360

L. M. Golušin, "Dizajn mikrovalnog pojačala u klasi AB korištenjem AlGaN tranzistora s efektom polja", Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb, 2023. Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:916360

Prijavite se u repozitorij kako biste mogli spremiti objekt u svoju listu.