Projektiranje otpornika na čipu u 180 nm tehnologiji za RC oscilatore s malom potrošnjom

diplomski rad

• Naslov (engleski): Design of On-Chip Resistors in 180-nm Technology for Low-Power RC Oscillators
• Autor: Ivana Franković
• Mentor: Adrijan Barić (mentor)
• Član povjerenstva: Adrijan Barić (predsjednik povjerenstva)
• Član povjerenstva: Marko Koričić (član povjerenstva)
• Član povjerenstva: Tvrtko Mandić (član povjerenstva)
• Ustanova koja je dodijelila akademski / stručni stupanj: Sveučilište u Zagrebu; Fakultet elektrotehnike i računarstva; Zagreb
• Datum i država obrane: 2023-09-15, Hrvatska

Sažetak

Izmjeren je sustav za temperaturnu karakterizaciju polisilicijskog i difuzijskog otpornika u 180 nm CMOS tehnologiji koji se sastoji od 20 redaka i 10 stupaca. Četverožičnim mjerenjem okarakterizirano je sveukupno 200 otpornika te na temelju rezultata određeno je ponašanje temperaturnog koeficijenta za svaki tip otpornika u ovisnosti o njihovoj širini i duljini. Dizajnirane su složene otporničke topologije kojima se može kompenzirati temperaturni koeficijent prvog reda. Izradom MATLAB modela otpornika uspoređene su karakteristike složenih otporničkih topologijama sa jednostavnom serijskom topologijom. Monte Carlo simulacije koje u obzir uzimaju procesne varijacije i neusklađenost pokazale su da kompozitne topologije imaju bolje performanse nego jednostavna serijska topologija. Također, proučen je utjecaj starenja za svaku od topologija. Topologija koja se pokazala najboljim odabirom s obzirom na potrebnu površinu i varijacije temperaturnog koeficijenta implementirana je u RC oscilator s malom potrošnjom.

Sažetak (engleski)

A system for temperature characterization of polysilicon and diffusion resistors in 180 nm CMOS technology, which consists of 20 rows and 10 columns was measured. Using the four-wire measurement, it was possible to characterize a total of 200 resistors and determine the behavior of the first-order temperature coefficient for each resistor type with regards to their width and length. Composite resistor topologies used for compensating the first-order temperature coefficient have been designed. The characteristics of composite resistor topologies and a simple series topology were compared using a MATLAB resistor model. Monte Carlo simulations with included process variation and mismatch have shown that composite resistor topologies show better performance than a simple series topology. Also, the influence of aging was studied for each topology. The topology that proved to be the best choice, considering the required area and temperature coefficient variations, was implemented in a low-power RC oscillator.

• Ključne riječi: otptemperaturni koeficijent; četverožično mjerenje; otporničke topologije; starenje otpornika; RC oscillator
• Ključne riječi (engleski): temperature coefficient; four-wire measurement; resistor topologies; resistor aging; RC oscillator
• Jezik: engleski
• URN:NBN: urn:nbn:hr:168:554472
• Studijski program: Naziv: Elektrotehnika i informacijska tehnologija; Vrsta studija: sveučilišni; Stupanj studija: diplomski; Akademski / stručni naziv: magistar/magistra inženjer/inženjerka elektrotehnike i informacijske tehnologije (mag. ing. el. techn. inf.)
• Vrsta resursa: Tekst
• Način izrade datoteke: Izvorno digitalna
• Prava pristupa: Zatvoreni pristup
• Datum i vrijeme pohrane: 2023-10-11 08:51:52