Modeliranje memristora

završni rad

• Naslov (engleski): Memristor modelling
• Autor: Patrik Kukić
• Mentor: Dario Bojanjac (mentor)
• Član povjerenstva: Dario Bojanjac (predsjednik povjerenstva)
• Član povjerenstva: Dominik Žanić (član povjerenstva)
• Član povjerenstva: Filip Turčinović (član povjerenstva)
• Ustanova koja je dodijelila akademski / stručni stupanj: Sveučilište u Zagrebu; Fakultet elektrotehnike i računarstva; Zagreb
• Datum i država obrane: 2023-06-29, Hrvatska
• Znanstveno / umjetničko područje, polje i grana: TEHNIČKE ZNANOSTI; Računarstvo

Sažetak

U radu je prikazana nova metoda određivanja optimalnog oblika gornje elektrode u RRAM ćelijama s promjenom valencije. Konstruiran je stohastički model rasta vodljivog vlakna (CF), koji se fokusirao samo na fazu formiranja. Napon prekida simulacije korišten je kao procjena za određivanje varijabilnosti vodljivosti u stanju niskog otpora. Optimizacija oblika gornje elektrode provedena je pomoću genetskog algoritma. Primijenjena je inovativna strategija mutacije, koja uzima u obzir povijest populacije, uz strategiju odabira putem eksponencijalne rang selekcije. Optimalni oblik elektrode, do broja epoha genetskog algoritma, prikazan je u odjeljku Rezultati.

Sažetak (engleski)

The paper presents a novel method of determining optimal top electrode shape in valence change RRAM cells. A model of stochastic conductive filament (CF) growth was constructed, which focused only on the formation phase. The cutoff voltage was used as a proxy for determining the conductance variability in the low resistance state. Optimization of the top electrode shape was performed using a genetic algorithm. An innovative mutation strategy, which takes into account the history of the population, was employed, alongside an exponential rank selection strategy. The optimal electrode shape, up to the number of genetic algorithm epochs, is presented in the Results section.

• Ključne riječi: RRAM; simulacija; vodljivo vlakno; metoda konačnih elemenata; optimizacija; geometrija; genetski algoritam
• Ključne riječi (engleski): RRAM; simulation; conductive filament; finite element method; optimization; geometry; genetic algorithm
• Jezik: hrvatski
• URN:NBN: urn:nbn:hr:168:387995
• Studijski program: Naziv: Računarstvo; Vrsta studija: sveučilišni; Stupanj studija: preddiplomski; Akademski / stručni naziv: sveučilišni/a prvostupnik/ prvostupnica (baccalaureus/baccalaurea) inženjer/inženjerka računarstva (univ.bacc.ing.comp.)
• Vrsta resursa: Tekst
• Način izrade datoteke: Izvorno digitalna
• Prava pristupa: Zatvoreni pristup
• Datum i vrijeme pohrane: 2023-07-13 10:14:07