Kvantnomehaničko modeliranje u Monte Carlo simulacijama MOS struktura

disertacija

• Naslov (engleski): Quantum mechanical modeling in Monte Carlo simulations of MOS structures
• Autor: Dalibor Grgec
• Mentor: Petar Biljanović (mentor)
• Član povjerenstva: Tomislav Petković (predsjednik povjerenstva)
• Član povjerenstva: Tomislav Suligoj (član povjerenstva)
• Član povjerenstva: Mile Ivanda (član povjerenstva)
• Ustanova koja je dodijelila akademski / stručni stupanj: Sveučilište u Zagrebu; Fakultet elektrotehnike i računarstva; (Zavod za elektroniku, mikroelektroniku, računalne i inteligentne sustave); Zagreb
• Datum i država obrane: 2011-09-29, Hrvatska
• Znanstveno / umjetničko područje, polje i grana: TEHNIČKE ZNANOSTI; Elektrotehnika
• Univerzalna decimalna klasifikacija (UDC): 621.3 - Elektrotehnika

Sažetak

U disertaciji je opisano jedno moguće rješenje unaprijeđenja Monte Carlo simulatora elektroničkih elemenata za simulaciju nanometarskih MOS struktura. Kvantnomehanički modeli za Monte Carlo simulatore elektroničkih elemenata su izvedeni, implementirani i validirani. Modeli su bazirani na pojednostavljenoj fizikalnoj teoriji, ali pažljivo usklađeni sa relevantnim mjerenjima testnih struktura. Implementirani modeli su uspješno validirani na MOS strukturama reprezentativnim za suvremene integrirane sklopove. Dobiveni rezultati su vjerodostojni te dobro usporedivi sa mjerenjima i drugim simulatorima. Dodatno računalno vrijeme simulacija uslijed implementiranih modela je umjereno i prihvatljivo.

Sažetak (engleski)

One possible solution of improving Monte Carlo device simulators for simulation of nanometer scale MOS electron devices is described. Quantum models for Monte Carlo device simulators were developed, implemented and tested. Developed models are based on simplified physical theory, but carefully adjusted to match crucial measurements of test structures. Implemented models were successfully tested on MOS devices representative of contemporary integrated circuits. Obtained results were plausible and comparable with other simulators and measurements. The overhead simulation time due to model implementation is moderate and acceptable.

• Ključne riječi: numerika; elektronika; element; modeliranje; simulacija; kvantnomehanički; Monte Carlo; MOS
• Ključne riječi (engleski): numeric; electronics; device; modelling; simulation; quantum mechanical; Monte Carlo; MOS
• Jezik: hrvatski
• URN:NBN: urn:nbn:hr:168:354437
• Projekt: Šifra: 036-0361566-1567; Naziv: Nanometarski elektronički elementi i sklopovske primjene; Voditelj: Tomislav Suligoj; Pravna nadležnost: Hrvatska; Financijer: MZOS; Linija financiranja: ZP
• Projekt: Šifra: 036-0982904-1642; Naziv: Sofisticirane poluvodičke strukture za komunikacijsku tehnologiju; Voditelj: Marko Koričić; Pravna nadležnost: Hrvatska; Financijer: MZOS; Linija financiranja: ZP
• Studijski program: Naziv: Elektrotehnika; Vrsta studija: sveučilišni; Stupanj studija: poslijediplomski znanstveni (doktorski); Akademski / stručni naziv: doktor/doktorica znanosti, po-dručje tehničkih znanosti (dr. sc.)
• URL zapisa u katalogu: http://lib.fer.hr/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=36857
• Vrsta resursa: Tekst
• Opseg: 232 str ; 30 cm
• Način izrade datoteke: Izvorno digitalna
• Prava pristupa: Zatvoreni pristup
• Datum i vrijeme pohrane: 2019-07-02 07:17:50