Rad nije dostupan
diplomski rad
Mikrovalno pojačalo s AlGaN/GaN tranzistorom s efektom polja

Marija Karač (2015)
Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva
Citirajte ovaj rad...

Karač, M. (2015). Mikrovalno pojačalo s AlGaN/GaN tranzistorom s efektom polja (Diplomski rad). Preuzeto s https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:347629

Karač, Marija. "Mikrovalno pojačalo s AlGaN/GaN tranzistorom s efektom polja." Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2015. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:347629

Karač, Marija. "Mikrovalno pojačalo s AlGaN/GaN tranzistorom s efektom polja." Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2015. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:347629

Karač, M. (2015). 'Mikrovalno pojačalo s AlGaN/GaN tranzistorom s efektom polja', Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, citirano: 24.08.2019., https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:347629

Karač M. Mikrovalno pojačalo s AlGaN/GaN tranzistorom s efektom polja [Diplomski rad]. Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva; 2015 [pristupljeno 24.08.2019.] Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:347629

M. Karač, "Mikrovalno pojačalo s AlGaN/GaN tranzistorom s efektom polja", Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb, 2015. Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:347629