Sveučilište u Zagrebu Fakultet elektrotehnike i računarstva
Citirajte ovaj rad
Golušin, L. M. (2023). Dizajn mikrovalnog pojačala u klasi AB korištenjem AlGaN tranzistora s efektom polja (Diplomski rad). Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva. Preuzeto s https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:916360
Golušin, Leonardo Max. "Dizajn mikrovalnog pojačala u klasi AB korištenjem AlGaN tranzistora s efektom polja." Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2023. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:916360
Golušin, Leonardo Max. "Dizajn mikrovalnog pojačala u klasi AB korištenjem AlGaN tranzistora s efektom polja." Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2023. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:916360
Golušin, L. M. (2023). 'Dizajn mikrovalnog pojačala u klasi AB korištenjem AlGaN tranzistora s efektom polja', Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, citirano: 30.12.2024., https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:916360
Golušin LM. Dizajn mikrovalnog pojačala u klasi AB korištenjem AlGaN tranzistora s efektom polja [Diplomski rad]. Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva; 2023 [pristupljeno 30.12.2024.] Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:916360
L. M. Golušin, "Dizajn mikrovalnog pojačala u klasi AB korištenjem AlGaN tranzistora s efektom polja", Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb, 2023. Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:916360