Analiza rezonantne tunelske diode temeljene na silicenskim nanovrpcama s neidealnim rubovima

završni rad

• Naslov (engleski): Analysis of a resonant tunneling diode based on silicene nanoribbons with nonideal edges
• Autor: Marko Širić
• Mentor: Mirko Poljak (mentor)
• Član povjerenstva: Mirko Poljak (predsjednik povjerenstva)
• Član povjerenstva: Marko Koričić (član povjerenstva)
• Član povjerenstva: Željko Osrečki (član povjerenstva)
• Ustanova koja je dodijelila akademski / stručni stupanj: Sveučilište u Zagrebu; Fakultet elektrotehnike i računarstva; Zagreb
• Datum i država obrane: 2020-09-15, Hrvatska
• Znanstveno / umjetničko područje, polje i grana: TEHNIČKE ZNANOSTI; Računarstvo
• Znanstveno / umjetničko područje, polje i grana: TEHNIČKE ZNANOSTI; Elektrotehnika

Sažetak

U ovom radu dan je kratak pregled 2D materijala i opis silicena kao mogućeg materijala za primjenu u industriji nanoelektronike. Opisan je princip rada i svojstava rezonantne tunelske diode temeljene na silicenskim nanovrpcama. Ukratko je objašnjen formalizam kvantnog transporta za jednodimenzionalne probleme u modelu efektivne mase. Korištenjem NEGF simulatora dobivene su I-V karakteristike SiNR RTD-a s neidealnim rubovima. Analiziran je utjecaj širine kvantne jame i potencijalne barijere na svojstva SiNR RTD-a. Usporedbom sa svojstvima RTD-a temeljenog na idealnim silicenskim nanovrpcama analiziran je utjecaj neidealnih rubova na relevantne parametre ovakve diode.

Sažetak (engleski)

In this work, we briefly described 2D materials with an emphasis on silicene as a potential semiconductor material for future nanoelectronics. We also described operating principles and properties of resonant tunneling diodes based on silicene nanoribbons. Quantum transport for 1D problems within the effective-mass approximation was also briefly explained. By using the NEGF simulator, we obtained the I-V characteristics of SiNR RTD-s with nonideal edges. We analyzed the dependence of RTD figures-of-merit on quantum well length and potential barrier length, and then compared them with the properties of the RTD based on ideal silicene nanoribbons and described how nonideal edges affect those properties.

• Ključne riječi: rezonantna tunelska dioda; silicen; neidealni rubovi; 2D materijali; kvantni transport
• Ključne riječi (engleski): resonant tunneling diode; silicene; nonideal edges; 2D materials; quantum transport
• Jezik: hrvatski
• URN:NBN: urn:nbn:hr:168:789516
• Studijski program: Naziv: Elektrotehnika i informacijska tehnologija; Vrsta studija: sveučilišni; Stupanj studija: preddiplomski; Akademski / stručni naziv: sveučilišni/a prvostupnik/ prvostupnica (baccalaureus/baccalaurea) inženjer/inženjerka elektrotehnike i informacijske tehnologije (univ. bacc. ing. el. techn. inf.)
• Vrsta resursa: Tekst
• Način izrade datoteke: Izvorno digitalna
• Prava pristupa: Zatvoreni pristup
• Datum i vrijeme pohrane: 2023-01-14 21:46:55